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分析了具有源级退化电感的CMOS共源共栅结构电路在低频、低功耗LNA设计中存在的缺陷，为满足低频、低功耗设计的要求，现广泛采用在该电路结构基础上再并联栅极电容的结构．今按照噪声系数的定义严格推导了该结构电路的噪声参数表达式，并基于推导的公式分析了该结构在CMOS低频、低功耗LNA设计中的重要应用．最后实现了一个基于0．18μmCMOS工艺的ISM频段应用的433MHzLNA的设计，运用Agilent公司的设计仿真软件ADS进行仿真，整个LNA的设计过程及ADS仿真结果与理论分析一致．