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文中从金属应变式压力传感器的基本理论出发，以硅弹性膜铂应变电阻压力传感器为原型，推导了圆形和方形弹性膜片上电阻的变化率（dR／R）公式。通过比较，选用方形弹性膜为压力承压膜，以优化承压膜的宽厚比为出发点，用有限元方法对不同厚度方形膜片（宽度为2mm）进行应力分析。由硅材料的屈服应力与最大位移的限制，确定了最优的膜厚范围；根据有限元仿真的结果对压力传感器进行优化设计，对所做压力传感器芯片进行测试，在6．00×10^4-1．06×10^5Pa的范围内，其精度优于50Pa．