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利用超薄的ＳｉＯ２做缓冲层，用脉冲激光沉积法在Ｓｉ（１００）上制备了具有良好铁电性的高度（１００）取向的ＰＺＴ薄膜．通过对不同条件下在ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）上生长的ＰＺＴ薄膜的研究，分析了ＳｉＯ２厚度、沉积温度、退火时间对ＰＺＴ性能的影响更多还原
PbZr0.53Ti0.47O3／SiO2／Si复合薄膜的取向生长及铁电性研究
【摘 要】
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利用超薄的ＳｉＯ２做缓冲层，用脉冲激光沉积法在Ｓｉ（１００）上制备了具有良好铁电性的高度（１００）取向的ＰＺＴ薄膜．通过对不同条件下在ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）上生长的ＰＺＴ薄膜的研究，分析了ＳｉＯ２厚度、沉积温度、退火时间对ＰＺＴ性能的影响更多还原
【机 构】
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中科院物理所超导实验室,中国科技大学物理系
【出 处】
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低温物理学报
【发表日期】
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1999年1期
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