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相变存储器（PCM）因依靠电阻率的变化来存储的模式，成为65nm以下非易失存储器应用的研究热点。然而，相变存储器的擦写功耗、复位电压、热稳定性和擦写寿命一直是相变存储器发展的几个瓶颈。对此，设计了一种基于相变合金Ga3Sb8Te1的新型嵌入式相变存储器，并建立有限元（FEA）热学，结晶动力学和SPICE宏模型。通过瞬态热学和结晶动力学仿真表明，基于Ga3Sb8Te1的相变存储器具有更高的热稳定性和可循环擦写次数、更低的复位功耗，更快的置位频率，是一种较为理想的高性能相变存储器。