Effect of growth time on morphology and photoelectrochemical performance of TiO2nanorod arrays grown

来源 :OptoelectronicsLetters | 被引量 : 0次 | 上传用户:yinlefeng1988
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
TiO2nanorod arrays (NRAs) were synthesized directly on the fluorine tin oxide (FTO) coated glass substrates by a facile hydrothermal route. The effects of growth time on the photoelectrochemical (PEC) properties of TiO2NRAs are investigated. The samples synthesized for 4 h exhibit a photocurrent intensity of 0.37 mA/cm2at the irradiation of Xe lamp and a bias of 0 V. As the growth time increases, the thickness and order degree of the NRAs are enhanced, but the photocurrent is reduced a lot. It might be associated with the hindering of a high background electron density in NRs due to the long-time hydrothermal reaction in acid environment. Moreover, the decline behavior is observed, which is attributed to the poor charge separation capacity of TiO2array electrodes and could be suppressed efficiently by applying a suitable positive bias.
其他文献
用量子绝热定理推导石墨烯中的Berry几何相,结果发现,由于石墨烯特有的基态能级特性,使其出现了π的几何相,这是引起反常量子霍尔效应最根本的原因。
Optical spin splitting has attracted significant attention owing to its potential applications in quantum information and precision metrology. However, it is typically small and cannot be controlled efficiently. Here, we enhance the spin splitting by tran
提出了一种基于线性光学的双通道混合纠缠操控方案。该方案利用可调分束器(VBS)制备了双通道混合纠缠态,通过调节VBS的分束比实现了混合纠缠态的纠缠操控,并分析了猫态大小对保真度的影响。该方案为多通道混合纠缠态的制备及其在混合量子通讯中的应用提供了理论参考。
为减少放大自发辐射和抑制寄生震荡,需在激光钕玻璃片侧面粘接一层吸收介质包边玻璃,其中,包边残余应力是粘接的一个重要参数。详细描述了激光钕玻璃与包边玻璃在包边粘接过程中粘接界面附近残余应力的来源,实验讨论分析了精密退火、加工、包边粘接等对界面附近残余应力的影响。结果表明,退火过程中的边缘应力对粘接界面附近残余应力影响比较大,且包边面加工面型匹配越差,则界面附近残余应力越大,而低收缩率和低模量的粘接胶对界面附近的残余应力影响较小。
本文分析了最常见的影响旋转检偏器式椭偏仪准确度的两个因素.提出了改进的测量方法和测量结果的修正公式,提高了测量准确度并为实验所证实.
为了克服多频调制激光测距系统中相位检测算法复杂、实时性差、精度低的问题,提出一种距离测量方法。该方法将测距回波信号通过改进的正交计算模块得到精确的相位延迟正切值,再通过坐标旋转计算机(CORDIC)角度计算模块得到相应的角度,结合正交同相(I)和正交(Q)支路输出的符号位和相位测距解模糊算法计算出精确的距离。实验结果表明,系统测距误差与回波信号的信噪比和计算模块的字长有关,在SNR为10dB,字长为16bit时,相位精度为0.03°,距离精度为0.125mm。
本文提出了一种利用激光照射高阻硅来控制硅片中THz 波传输特性的方法。利用波长为808nm 的激光照射高阻硅产生光生电导来控制硅片对THz 波的吸收系数,进而控制硅片中THz 波的传输特性,并测量了在光强为1.9W/cm2 的激光照射下硅片对THz 波的透射特性。在1.9W/cm2 的激光照射下0.07cm 硅片的THz 波透射量减少了20% 。实验证明,利用激光控制硅片中的THz 波传输是可行的。
用电铸成型工艺研制了适用于百瓦级的连续激光流水功率计。理论推算及标定实验均表明,本功率计的测量精度为5%。
期刊
Integrated scatterometer for qualification of superpolished substrates for laser-gyro by surface scatter loss measurement is constructed. Different from the qualification of substrate by surface roughness, the scatterometer measures the forward surface sc
研究宽带条件下非聚焦斜入射泵浦的前向拉曼放大,给出了斯托克斯光能量放大率随拉曼池气压和泵浦角度的变化,讨论了高功率准分子激光拉曼系统的带宽限制。