用金属氧化物半导体场效应晶体管器件实现的高重复率电光调Q模块设计

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随着激光器的发展,需要高重复率的电光调Q器件。提出了一种新型超快、高重复率的电光调Q技术,这种技术采用V型槽的金属氧化物半导体场效应晶体管(VMOSFET)器件作为调Q模块的主功率开关,运用宽范围可调的高压稳压电源和调Q触发信号整形电路,以及加压调Q和退压调Q的兼容电路。实验中得出:当调Q工作频率为10 kHz时,调Q电压幅度3~5 kV任意可调,电压脉冲宽度小于5 ns,触发抖动时间小于1μs,且可以长期稳定工作。该调Q模块已经用于激光二极管(LD)抽运的无水冷固体Nd∶YAG激光器和连续Nd∶YAG激光器中。 With the development of lasers, electro-optic Q-switching devices with high repetition rate are needed. A new type of ultra-fast and high repetition rate electro-optic Q-switched technology is proposed. This technology uses V-shaped MOSFETs as the main power switch of the Q-switched module and uses a wide range of adjustable Of the high-voltage power supply and Q-switched trigger signal shaping circuit, as well as the pressure regulator Q and Q-compatible circuit Q. The experiment shows that when the Q-switching frequency is 10 kHz, the amplitude of the Q-switched voltage can be adjusted freely from 3 to 5 kV, the voltage pulse width is less than 5 ns, the triggering jitter time is less than 1 μs, and the long-term stable operation can be achieved. The Q modulation module has been used in laser diode (LD) pumping of anhydrous solid chilled Nd:YAG lasers and continuous Nd: YAG lasers.
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