【摘 要】
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应用基于第一性原理平面波超软赝势方法,对六方相4H-SiC掺杂Ⅲ主族B、Al、Ga元素体系的晶格常数、能带结构、电子态密度、布居数进行了计算.计算结果表明：B、Al、Ga元素掺杂后
【机 构】
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伊犁师范学院物理科学与技术学院新疆凝聚态相变与微结构实验室,南京大学物理学院国家固体微结构重点实验室
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应用基于第一性原理平面波超软赝势方法,对六方相4H-SiC掺杂Ⅲ主族B、Al、Ga元素体系的晶格常数、能带结构、电子态密度、布居数进行了计算.计算结果表明：B、Al、Ga元素掺杂后,体系都发生了晶格畸变,能带都呈现出间接带隙特征,禁带宽度减小,费米能级穿越了价带,体现出p型半导体的特征;掺杂原子与C原子形成共价键的共价性减弱,离子性增强,掺杂体系的稳定性下降.
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