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利用中频交流磁控溅射方法，采用氧化锌铝陶瓷靶材[ω(ZnO)＝98％、ω(Al2O3)＝2％]制备了ZA0(ZnO：A1)薄膜，观察了基体温度对ZAO薄膜的晶体结构、电学和光学性能的影响，采用X射线衍射仪对薄膜的结构进行了分析，采用光学分度计和电阻测试仪测量了薄膜的光学、电学特性，采用霍尔测试仪测量了薄膜的载流子浓度和霍尔迁移率。结果表明：沉积薄膜时的基体温度对薄膜的结构、结晶状况、可见光透射率以及导电性有较大的影响。当基体温度为250℃，Ar分压为0．8Pa时，薄膜的最低电阻率为4．6×10^