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双向饱和磁通门原理具有优良的温度稳定性,然而该方法局限于被测磁场强度(H_p)大于磁芯最小饱和磁场强度(H_(sat))的条件。该文研究H_p
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针对气体绝缘组合电器(gas insulated switchgear,GIS)内盆式绝缘子所用的环氧树脂材料,在纳秒脉冲条件下开展沿面闪络老化实验研究。设计不同气压值下沿面闪络新型实验装置,在S
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