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本文针对LDMOS器件在ESD保护应用中的原理进行了分析,重点讨论了设计以及应用过程中如何降低高触发电压和有效提高二次击穿电流,结合实际工艺对器件进行参数优化,得到了承受4KV ESD电压的LDMOS器件.
LDMOS器件在ESD保护中的应用
【摘 要】
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本文针对LDMOS器件在ESD保护应用中的原理进行了分析,重点讨论了设计以及应用过程中如何降低高触发电压和有效提高二次击穿电流,结合实际工艺对器件进行参数优化,得到了承受4
【机 构】
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电子科技大学功率集成技术研究室电子科技大学功率集成技术研究室电子科技大学功率集成技术研究室
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2006年12期
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