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为了在半导体工艺竞赛中取得优势，飞思卡尔半导体与台积电公司(TSMC)签署了一项合作协议，双方将基于65nm先进CMOS工艺、联合开发新一代SOI(绝缘硅)高性能晶体管前端技术。这一为期三年的协议同时也向台积电提供了飞思卡尔90nm SOI技术的制造授权。
亟欲在工艺竞赛中突围飞思卡尔与台积电共同开发SOI技术
【摘 要】
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为了在半导体工艺竞赛中取得优势，飞思卡尔半导体与台积电公司(TSMC)签署了一项合作协议，双方将基于65nm先进CMOS工艺、联合开发新一代SOI(绝缘硅)高性能晶体管前端技术。这一
【出 处】
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电子测试：新电子
【发表日期】
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2004年11期
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