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运用基于密度泛函理论（DensityFunctionalTheory，Dvr）框架下的第一性原理计算方法．研究了GaSb半导体中P型缺陷的电子结构和光学性质，交换关联泛函采用局域密度近似（LocalDensityApproximation，LDA＋U）方法对Ga-d电子和Sb—P电子的库仑作用势能进行修正，计算得到GaSb的禁带宽度和晶格常数与实验值相符．GaSb中本征缺陷形成能的数值表明，富Ga（Garich）生长条件下P型Ga替代Sb（Ga@Sb）缺陷的形成能最低，富sb（Sb-rich）生长条件下P