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针对由1个半导体隔开的2个铁磁性金属电极构成的磁性隧道结,考虑中间层形成双δ势垒,在近自由电子模型的基础上,计算了零偏压下隧穿磁电导和隧穿磁电阻.结果表明,该隧道结的隧穿磁电阻和隧穿磁电导与磁性金属电极分子场的角度有密切的关系.
铁磁-半导体-铁磁隧道结中的隧穿磁电阻
【摘 要】
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针对由1个半导体隔开的2个铁磁性金属电极构成的磁性隧道结,考虑中间层形成双δ势垒,在近自由电子模型的基础上,计算了零偏压下隧穿磁电导和隧穿磁电阻.结果表明,该隧道结的
【机 构】
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延边大学理学院物理系
【出 处】
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延边大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2010年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（10864008）
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