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相变存储器(PCM)凭借低功耗的优势有望成为新一代主存储器,但是耐受性的缺陷成为其广泛应用的重要障碍。现有的随机存取存储器(DRAM)缓存技术和磨损均衡分别从减少PCM写数量以及均匀化写操作分布两个角度延长PCM使用寿命,但前者在写回数据时未考虑数据的读写倾向性,后者在空间局部性较强的应用场景下存在数据交换粒度、空间开销、随机性等诸多问题。因此,设计一种全新的混合存储架构,结合最近最少使用(LRU)算法和带有时间变化的最不经常使用(LFU-Aging)算法提出区分数据读写倾向性的缓存策略,并且基于布