【摘 要】
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以掺镱双包层光纤为例,对MCVD 工艺结合溶液掺杂法制备掺稀土离子有源光纤进行了介绍.通过对不同沉积温度下制备的疏松芯层结构的分析研究,讨论出疏松层沉积温度对有源光纤掺
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
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以掺镱双包层光纤为例,对MCVD 工艺结合溶液掺杂法制备掺稀土离子有源光纤进行了介绍.通过对不同沉积温度下制备的疏松芯层结构的分析研究,讨论出疏松层沉积温度对有源光纤掺杂浓度及掺杂均匀性的影响规律,找到了疏松层沉积的最佳温度,在该温度下,沉积的疏松层网格结构均匀,制备的有源光纤掺杂浓度高且掺杂均匀,为制作高质量的掺稀土元素双包层光纤提供了有力保障,也为目前国内普遍采用的MCVD 工艺结合溶液掺杂技术制备掺稀土离子有源光纤提供了参考.
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