【摘 要】
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采用脉冲激光沉积法(Pulsed laser deposition,PLD)在Pt/Ti/SiO 2/Si衬底上制备TiN/Al掺杂Hf0.5Zr0.5O2/TiN的MIM(金属-绝缘体-金属)结构薄膜电容器。对Al掺杂浓度为0%~4%(摩
【基金项目】
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国家自然科学基金面上资助项目(51372030)
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采用脉冲激光沉积法(Pulsed laser deposition,PLD)在Pt/Ti/SiO 2/Si衬底上制备TiN/Al掺杂Hf0.5Zr0.5O2/TiN的MIM(金属-绝缘体-金属)结构薄膜电容器。对Al掺杂浓度为0%~4%(摩尔分数)的Al∶Hf0.5Zr0.5O2薄膜的微观结构以及电学性能进行了研究,在此基础上,还研究了退火温度对Al∶Hf0.5Zr0.5O2薄膜的影响。测试结果表明,随着Al掺杂浓度的增大和退火温度的降低,四方相更加稳定,电滞回线更加细窄,剩余极化强度减小。退火温度为50
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