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介绍了一种l0位、3M sample／s逐次逼近型A／D转换器的设计，描述了具有可变时钟电路结构的有效工作方式。该模数转换器在0．6μm双多晶硅、双金属层CMOS工艺上实现，芯片总面积为3.2mm^2。转换器采用单5V电源供电，功耗仅为35mw。
10位逐次逼近型A/D转换器的芯片设计
【摘 要】
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介绍了一种l0位、3M sample／s逐次逼近型A／D转换器的设计，描述了具有可变时钟电路结构的有效工作方式。该模数转换器在0．6μm双多晶硅、双金属层CMOS工艺上实现，芯片总面积为3.2mm
【机 构】
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上海大学微电子研究与开发中心,上海大学机电工程与自动化学院
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2004年4期
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