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本文通过对不同陶瓷衬底材料上沉积多晶硅薄膜性能的研究,分析了陶瓷材料本身的性质和热力学参数、晶体学参数等性能对多晶硅薄膜沉积质量的影响,在SiC衬底上制备了择优定向生长晶粒直径达190μm的多晶硅薄膜.
陶瓷衬底材料对多晶硅薄膜沉积质量的影响
【摘 要】
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本文通过对不同陶瓷衬底材料上沉积多晶硅薄膜性能的研究,分析了陶瓷材料本身的性质和热力学参数、晶体学参数等性能对多晶硅薄膜沉积质量的影响,在SiC衬底上制备了择优定向生长晶粒直径达190μm的多晶硅薄膜.
【机 构】
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清华大学深圳研究生院,深圳,510855;清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084
【出 处】
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第十三届全国高技术陶瓷学术年会
【发表日期】
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2004年4期
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