论文部分内容阅读
采用恒电位电沉积方法，在未经修饰的ITO导电玻璃基底上通过控制实验条件制备出不同形貌的纳米ZnO结构，而在经过ZnO纳米粒子膜修饰后的ITO导电玻璃基底上，制备出透明、高取向、粒径小于30nm的ZnO纳米棒阵列．用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（xRD）以及透射光谱对制备出的ZnO纳米棒阵列的结构、形貌和透明性进行了表征．测试结果表明，ZnO纳米棒阵列的平均直径为21nm，粒径分布窄，约18-25nm，择优生长取向为[001]方向，垂直于基底生长．当入射光波长大于400nm时，ZnO纳米棒阵列的透光