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半导体硅料含杂质时,其电化学势能和表面活性也随之发生变化,重掺硅料比掺杂浓度低的硅料化学电动势大,在混酸溶液中反应速率快,低浓度掺杂的合格料和高浓度掺杂的重掺料就有了选择性腐蚀效果。基于这一原理研究了一种化学腐蚀除重掺的方法。
一种化学腐蚀去除硅料中重掺的方法
【摘 要】
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半导体硅料含杂质时,其电化学势能和表面活性也随之发生变化,重掺硅料比掺杂浓度低的硅料化学电动势大,在混酸溶液中反应速率快,低浓度掺杂的合格料和高浓度掺杂的重掺料就有
【机 构】
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上海九晶电子材料股份有限公司
【出 处】
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太阳能
【发表日期】
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2010年12期
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