多层二维半导体纳米材料研制成功

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美国化学家研发出了一种新方法,使用硅碲化物制备出拥有多层结构的二维半导体纳米材料,这些材料拥有不同的形状和排列方向,可在多个领域大显身手。布朗大学的科学家使用硅碲化物制造出了纳米带和纳米板。硅碲化物是一种纯净的P型半导体(携带正电荷),广泛出现在很多电子和光学设备中,它们的层级结构能吸收锂和镁,这意味着可用来制造电池的电极。该研究的领导者、布朗大学化学系助理教授克里斯蒂·克斯基表示,硅基化合物是现代电学处理过程的基石,硅碲化物是其中一员,我们发明的全新方法可用来制造拥有多层结构的二维纳米材料。克斯基团队通过气相沉积方法 American chemists have developed a new method using silicon telluride to fabricate two-dimensional semiconductor nanomaterials with multi-layered structures that have different shapes and orientations and can work in multiple fields. Scientists at Brown University have fabricated nanoribbons and nanoplates using silicon telluride. Silicon telluride is a pure P-type semiconductor (carrying a positive charge), widely found in many electronic and optical devices, and their hierarchical structure absorbs lithium and magnesium, meaning electrodes that can be used to make batteries. Kristi Kirski, an assistant professor of chemistry at Brown University, said the study, a silicon-based compound that forms the cornerstone of modern electrical processing and silicon telluride, is a new method we have invented that can be used to fabricate multilayers Of the two-dimensional nano-materials. Keskey team through the vapor deposition method
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