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采用了2种γ脉冲辐射源,在脉冲宽度分别约为20,50,150ns,剂量率为10^6~10^6Gy(Si)·s^-1下,对5种不同类型的电子器件进行了辐照试验并对其辐照响应进行了分析,比较了不同脉冲宽度条件下辐照响应的差异。实验结果表明:脉冲宽度是影响瞬时辐照效应的重要因素,γ脉冲宽度越宽,辐照响应越强,分离器件比集成电路受脉宽的影响更明显。