【摘 要】
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讨论了采用热蒸镀方法制备的结构为ITO/β-NPB（55-xnm）/Alq3（45nm）/TAZ（xnm）/LiF（0.5nm）/Al的器件的磁效应。在室温下研究了x分别取0、5、10、15nm时器件的电阻率与磁场之间的变化关
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讨论了采用热蒸镀方法制备的结构为ITO/β-NPB（55-xnm）/Alq3（45nm）/TAZ（xnm）/LiF（0.5nm）/Al的器件的磁效应。在室温下研究了x分别取0、5、10、15nm时器件的电阻率与磁场之间的变化关系。结果表明,x=0nm时,在10V电压下,电阻率变化率Δρ/ρ随磁场强度的增大而增大;当磁场强度B=110mT时,Δρ/ρ达到最大,仅为8.22%。当x分别取5、10、15nm时,Δρ/ρ为随磁场的增大而减小;在相同磁场强度下,x越大,Δρ/ρ越大;当B=110mT,x=15nm,
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