MOCVD生长的InGaN薄膜中InN分凝的研究

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dna0716

【摘要】

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利用X射线衍射(XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量.利用Vegard定理和XRD2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为0.1～0.34.通过测量XRD摇摆曲线的InN(0002)和InG

【作者】

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秦志新陈志忠童玉珍陆曙张国义

【机构】

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北京大学物理系

【出处】

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发光学报

【发表日期】

：

2001年z1期

【关键词】

：

INGAN InN分凝 MOCVD

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目(69876002)

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利用X射线衍射(XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量.利用Vegard定理和XRD2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为0.1～0.34.通过测量XRD摇摆曲线的InN(0002)和InGaN(0002)的积分强度之比测得InN在InGaN中的含量为0.0684%～2.6396%.根据XRD理论,计算出InN和InGaN的理论衍射强度.InN含量在所有样品中均小于3%,这表明样品的相分离度比较低.还发现InN在InGaN薄膜中的含量与氮气载气流量和反应室气压明显相关.

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