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超高速化合物半导体器件:InP基高电子迁移率晶体管
超高速化合物半导体器件:InP基高电子迁移率晶体管
来源 :电子元器件应用 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wwmmkk
【摘 要】
:
以高电子迁移率晶体管,异质结双极晶体管和微波/毫米波集成电路为例,介绍化合物半导体器件的特点,封装,测试及其应用。
【作 者】
:
谢永桂
【机 构】
:
航天工业总公司西安微电子技术研究所
【出 处】
:
电子元器件应用
【发表日期】
:
2002年11期
【关键词】
:
INP
高电子迁移率晶体管
异质结双极晶体管
化合物半导体
High electron mobility transistor (HEMT)
Heteroj
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以高电子迁移率晶体管,异质结双极晶体管和微波/毫米波集成电路为例,介绍化合物半导体器件的特点,封装,测试及其应用。
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