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采用拉曼光谱和分光光度计等测试手段，对快速光热过程（RTP）和常规炉过程（CFP）退火后的硅薄膜结构性能和光学性能进行了研究。用Avrami-Meld-Johnson和Monte Carlo晶体生长模型和黑体辐射理论分析得出，RTP法退火温度低、速度快的原因，是RTP中不仅存在“光量子效应”，而且还存在“光热相长效应”。由光学带隙的计算得知，RTP退火法可使带隙约为1.7eV的非晶硅薄膜变为带隙约为1．28eV的微晶硅薄膜，说明RTP退火达到了较好的结晶效果。