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在已有各种工艺因素对电解涂硅量影响研究的基础上,对在高电流密度(100~200 A/dm2)及短时间(0.1 s)电解条件下电解涂覆薄层(纳米量级)SiO2机理进行了初步研究,实验模拟了实际生产中采用的中间导体法,并运用多种测试方法对电解涂硅的机理进行了分析探讨,揭示了高电流密度下电解脱脂涂硅的吸附本质及SiO2在钢板表面的空间分布,并就钢板阴阳极两面涂硅量的不同原因进行了解释.