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本文研究了ＮＴＤ硅，经电子辐照缺陷的等时退火特必最五个缺陷能级，结果表明其中Ｅ３和Ｅ４级有比它三个能级的热稳定性更好。
NTD硅电子辐照缺陷的等时退火特性
【摘 要】
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本文研究了ＮＴＤ硅，经电子辐照缺陷的等时退火特必最五个缺陷能级，结果表明其中Ｅ３和Ｅ４级有比它三个能级的热稳定性更好。
【机 构】
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郑州大学物理工程学院,中山州大学工程系
【出 处】
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郑州大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1997年3期
【基金项目】
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河南省自然科学基金
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