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采用聚碳硅烷为先驱体，利用原位生长法制备ＳｉＣ／Ｓｉ３Ｎ４纳米复相陶瓷，其室温弯曲强度和断裂韧性达到了６３７ＭＰａ和８．１０ＭＰａ．ｍ＾１／２。研究了材料微观结构的形成及断裂机理，指出在微观结构的形成过程中，控制ＳｉＣ纳米微晶的生成和βＳｉ３Ｎ４柱状晶的生长是关键，而增韧补强的主要原因在于形成了晶内型结构和长径比大的ＳＩ３Ｎ４柱状晶，从而改变了断裂机理。