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通过制备面向MEMS红外光源的高辐射率多晶硅纳米柱状结构和单晶硅纳米孔结构,以提升红外源表面辐射率,降低器件功耗。制备方法分别为反应离子刻蚀（reactive-ion-etching,RIE）及等离子浸没离子注入（plasma immerse ion implantation,PIII）工艺对单晶硅以及铝电极掩膜的多晶硅表面调控修饰制备。并对2种纳米硅结构进行了吸收率测试,对铝电极掩膜进行了引线键合破坏拉力测试。测试表明,纳米硅结构在3-5μm波段的辐射率可以达到85%以上,暴露在刻蚀气氛后的铝电极掩膜引