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基于ｐｉｎ结构的ａ－Ｓｉ；Ｈ太阳能电池中空间电荷效应；讨论了ｉ层中氧，硼杂质对其性能的影响，结果表明，氧硼杂质存在都改变ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳能电池内部电场分布，不利于光生载流子收集，但ｉ层轻度硼掺杂可抑制ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳能电池光诱导性能衰退，提高电池稳定性。
a—Si：H太阳能电池i层中氧,硼杂质对其稳定性影响
【摘 要】
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基于ｐｉｎ结构的ａ－Ｓｉ；Ｈ太阳能电池中空间电荷效应；讨论了ｉ层中氧，硼杂质对其性能的影响，结果表明，氧硼杂质存在都改变ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳能电池内部电场分布，不利于光生载流子收集，但ｉ层轻度硼掺杂可抑制ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳能
【机 构】
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中国科学技术大学物理系
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1997年4期
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