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概述了电子器件中的各种硅刻蚀技术，提出了新的旋转喷射硅腐蚀方案，对2种酸腐蚀挖槽方法进行了试验对比。新方法应用于集成门极换相晶闸管（IGCT）器件的梳条成型工艺，获得精密的阴极图形，器件的开关性能优良。
IGCT器件制造中的阴极梳条成型技术
【摘 要】
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概述了电子器件中的各种硅刻蚀技术，提出了新的旋转喷射硅腐蚀方案，对2种酸腐蚀挖槽方法进行了试验对比。新方法应用于集成门极换相晶闸管（IGCT）器件的梳条成型工艺，获得精密的阴
【机 构】
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株洲南车时代电气股份有限公司电力电子事业部
【出 处】
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变流技术与电力牵引
【发表日期】
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2006年6期
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