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CCD 图像传感器内线转移结构的设计,采用有溢出漏的光电二极管 P 阱结构,选用四相二次时钟脉冲驱动方式,埋沟和相关双重取样输出放大器。这种器件获得了最佳光谱响应,其峰值为550nm,噪声等效信号降低到50个电子以下;动态范围达到60分贝。电晕现象将受到抑制,饱和电平寄生信号可得到消除。
CCD图像传感器内线转移结构设计考虑
【摘 要】
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CCD 图像传感器内线转移结构的设计,采用有溢出漏的光电二极管 P 阱结构,选用四相二次时钟脉冲驱动方式,埋沟和相关双重取样输出放大器。这种器件获得了最佳光谱响应,其峰值
【机 构】
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重庆光电技术研究所
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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1989年2期
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