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研究了CO2和CH4作为单一组分和混合组分在DDR膜中的吸附平衡。采用GCMC方法模拟了二者在DDR膜中的吸附曲线。结果表明，CO2和CH4单一组分的吸附模型符合Langmuir吸附模型；等摩尔的CO2-CH4混合物在DDR膜中吸附时，二者发生了竞争吸附，CO2的吸附占主要地位。在298K下，模拟得到的CO2和CH4在DDR膜中的吸附平衡常数分别为0．0081和0．0033（kPa）^-3，与文献值0．0089和0．0029（kPa）^-1吻合良好，说明模拟所采用参数的准确性。