集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sgcc7186

【摘要】

：

为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法,首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件

【作者】

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张海鹏汪沁孙玲玲高明煜李文钧吕幼华刘国华汪洁

【机构】

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杭州电子科技大学电子信息学院

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2006年z1期

【关键词】

：

ESD SOI LIGBT/LDMOS 器件结构工艺 PIC

【基金项目】

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国家自然科学基金(批准号:60306003)及浙江省自然科学基金(批准号:y104599)资助项目

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为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法,首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法,设计了工艺流程.讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素,并给出了结构实现的工艺控制要求.

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