【摘 要】
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采用以硅衬底为硅源的简单方法,在蘸有一层催化剂（0.05MFeCl2·6H2O）薄膜的硅基片上直接制备了大量的单晶Si纳米线。用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）分别观察了硅
【机 构】
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石家庄铁道学院材料科学与工程分院,石家庄铁道学院四方学院
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采用以硅衬底为硅源的简单方法,在蘸有一层催化剂（0.05MFeCl2·6H2O）薄膜的硅基片上直接制备了大量的单晶Si纳米线。用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）分别观察了硅纳米线的形貌及单根Si纳米线的显微结构。试验结果表明：随着温度的升高,纳米线的直径增大;催化剂是Si纳米线生成的重要因素,没有沉积催化剂的硅基片上不会有硅纳米线的生成,且该硅纳米线的生长机理为典型的气-液-固模式。
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