【摘 要】
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针对射频MEMS滤波器的带外抑制能力较差和带内群延时不平坦的问题,设计了一种窄带宽、低插损、高选择性的L波段射频MEMS线性相位滤波器.选取高介电常数的衬底材料实现窄带传输,采用双层交指结构的谐振器实现线性相位,减小了电路体积.利用HFSS软件对滤波器的性能进行优化.结果表明,该滤波器的中心频率为1.46 GHz,带内插入损耗＜1.97 dB,带内群延时波动＜2 ns,在中心频率左右1 GHz处的带外抑制＞70 dB.整体电路尺寸为10 mm×7.2 mm×0.62 mm.
【机 构】
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中北大学信息与通信工程学院,太原030051;中北大学南通智能光机电研究院,江苏南通226000;中北大学前沿交叉科学研究院,太原030051;中北大学微系统集成研究中心,太原030051;中北大学南
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针对射频MEMS滤波器的带外抑制能力较差和带内群延时不平坦的问题,设计了一种窄带宽、低插损、高选择性的L波段射频MEMS线性相位滤波器.选取高介电常数的衬底材料实现窄带传输,采用双层交指结构的谐振器实现线性相位,减小了电路体积.利用HFSS软件对滤波器的性能进行优化.结果表明,该滤波器的中心频率为1.46 GHz,带内插入损耗＜1.97 dB,带内群延时波动＜2 ns,在中心频率左右1 GHz处的带外抑制＞70 dB.整体电路尺寸为10 mm×7.2 mm×0.62 mm.
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