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半绝缘GaAs退火前后深能级的研究

来源 :山东工业大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kingwill

【摘 要】

：

用TSDC（热激去极化电流）法对半绝缘砷化镓（SI-GaAs）退火前后的深能级进行了测量,并对该方法进行理论分析,推导出这一热激过程的动力学方程。用曲线拟合的方法对陷阱能量E等拟合,

【作 者】

：

曲果力 张光春 罗晋生 

【机 构】

：

山东工业大学基础课教学部,山东工业大学基础课教学部,西安交通大学

【出 处】

：

山东工业大学学报

【发表日期】

：

1991年1期

【关键词】

：

能级 GAAS 退火 化合物半导体 Semi-insulator  Energy levels  Gallium arsenide Compound semic 

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用TSDC（热激去极化电流）法对半绝缘砷化镓（SI-GaAs）退火前后的深能级进行了测量,并对该方法进行理论分析,推导出这一热激过程的动力学方程。用曲线拟合的方法对陷阱能量E等拟合,理论与实验结果吻合。测得SI-GaAs:Cr样品中Cr产生的深能级为Ec-0.716eV,Ec-0.532eV;高纯SI-GaAs样品中EL2能级为Ec-0.735eV。另外,还测得其它几个深能级。更多还原

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