【摘 要】
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在射频等离子体化学气相沉积条件下,在玻璃、低碳钢、云母、单晶Si(111)等基材上沉积TiN薄膜。试验表明,在这些基材上,在一定条件下,都可得到高度定向的TiN膜,研究了等离子体
【机 构】
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青岛化工学院固体薄膜研究室,青岛化工学院固体薄膜研究室
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在射频等离子体化学气相沉积条件下,在玻璃、低碳钢、云母、单晶Si(111)等基材上沉积TiN薄膜。试验表明,在这些基材上,在一定条件下,都可得到高度定向的TiN膜,研究了等离子体化学气相沉积中形成高度定向膜的条件及原因。
TiN thin films are deposited on substrates such as glass, mild steel, mica and single crystal Si (111) under RF plasma CVD. Experiments show that under these conditions, highly oriented TiN films can be obtained under certain conditions and the conditions and causes for the formation of highly oriented films in plasma chemical vapor deposition have been investigated.
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