【摘 要】
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通过反应碰控溅射在n型硅和玻璃衬底上制备了p型cuo薄膜,使用x射线衍射仪和紫外-可见光近红外光度计研究了p型cuo薄膜的结构和光学特性,得出其平均晶粒尺寸和光学带隙分别为8
【机 构】
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陕西师范大学物理学与信息技术学院,武警工程大学基础部,航天第十六研究所
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通过反应碰控溅射在n型硅和玻璃衬底上制备了p型cuo薄膜,使用x射线衍射仪和紫外-可见光近红外光度计研究了p型cuo薄膜的结构和光学特性,得出其平均晶粒尺寸和光学带隙分别为8 nm和1.36 ev.通过研究其电压-电流关系确定了在p型cuo薄膜和n型硅衬底之间形成了p-n结.在am 1.5光照条件下p-cuo/n-si电池的开路电压为0.33 v,短路电流密度为6.27 ma/cm2,填充因数和能量转化效率分别为0.2和0.41％.
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