【摘 要】
：
以方解石矿石为原料,利用制备的重镁水(Mg(HCO3)2)及中间产物氯化钙制备文石型碳酸钙晶须,并采用SEM、XRD及EDS对产品进行表征。探究了重镁水与氯化钙反应过程中反应温度、反应时间、镁钙浓度比、重镁水浓度以及搅拌速度对碳酸钙晶须形貌的影响。通过单因素实验得出了最佳工艺条件:温度40℃、反应时间2 h、镁钙浓度比6∶1、重镁水浓度0.14 mol/L、搅拌速度150 r/min。在此条件下,制得了长度为40~65μm、直径为0.6~1.5μm、长径比为25
【机 构】
：
沈阳化工大学化学工程学院,辽宁精细化工协同创新中心
【基金项目】
：
菱镁固废化工材料高值利用技术与基地集成示范(2020YFC1909300),辽宁省自然科学基金(L2015020609),辽宁省创新团队项目(LT2013010),沈阳市科技局项目(F16-208-6-00)。
论文部分内容阅读
以方解石矿石为原料,利用制备的重镁水(Mg(HCO3)2)及中间产物氯化钙制备文石型碳酸钙晶须,并采用SEM、XRD及EDS对产品进行表征。探究了重镁水与氯化钙反应过程中反应温度、反应时间、镁钙浓度比、重镁水浓度以及搅拌速度对碳酸钙晶须形貌的影响。通过单因素实验得出了最佳工艺条件:温度40℃、反应时间2 h、镁钙浓度比6∶1、重镁水浓度0.14 mol/L、搅拌速度150 r/min。在此条件下,制得了长度为40~65μm、直径为0.6~1.5μm、长径比为25
其他文献
采用固相反应法制备了不同烧结温度(950~1180℃)、烧结时间、烧结次数共7种工艺的Sr3YCo4O10.5+δ多晶块材,通过热分析、XRD、SEM确定了有序化相变和最佳烧结工艺(1180℃/24 h+1180℃/24 h),并研究了多晶的电磁性能。结果表明,964℃完全晶化的四方相Sr3YCo4O10.5在1042℃吸氧(δ)完成有序化,生成Sr3Y
以8-氨基喹啉、1,5-萘二磺酸根为配体,NaN3为pH调节剂,与Cd(NO3)2通过水热反应,合成了一个新的一维链状镉配合物:[Cd(8-aql)2(1,5-nd)]2·H2O(1)(8-aql=8-氨基喹啉,1,5-nd=1,5-萘二磺酸根),并对其进行了元素分析、红外光谱和X-射线单晶衍射表征。配合物1属于单斜晶系,空间群为P21/n,不对称结构单
掺硼金刚石在原有金刚石高硬度、高稳定性、良好的生物相容性等优良性能的基础上,具有半导体甚至低温超导特性,以及宽的电化学势窗、低背景电流等电化学优势。目前,掺硼金刚石膜被公认为是极佳的电化学电极材料,大量研究工作集中在硼的掺杂方式、掺硼金刚石膜微观形貌控制、掺硼金刚石膜表面修饰等方面,以优化掺硼金刚石膜的性能,拓展其应用空间。本文基于对掺硼金刚石结构的认识,综述了其电学及电化学性能研究进展,阐述了其主要制备方法。并分析了掺硼金刚石膜作为电极在消毒杀菌、废水处理、超级电容器、生物传感器等领域的应用现状及前景。
Traditional ionic liquids are sensitive to humidity but with long response time and nonlinear response.Pure liquid-state ionic liquids are usually hard for dehy
双钙钛矿氧化物Sr2MoBO6(B=Os、Re、W)已被预测为具有高磁转变温度的半金属材料。本论文对Sr2MoBO6的电子结构和光学性质进行了第一性原理计算,并分析了二者之间的内在关系。从能带结构来看,Sr2MoOsO6和Sr2MoWO6为半金属,Sr2MoReO6为普通金属。B 5d与M
近年来,碲锌镉(CdZnTe)材料制成的探测器已经成为研究热点,适当的接触特性已经成为提高探测器性能的关键问题.本文主要探讨了弱n型CdZnTe晶体(111)B面Ti/Au复合电极的欧姆接
本文采用十二烷基苯磺酸钠(SDBS)与聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的复配溶液作为单晶硅制绒添加剂,取代目前常用碱醇制绒液中的异丙醇,不仅降低了绒面的反射率、缩短了制绒时间,而且具有成本低、制绒过程中不需要定时补充等特点。本文研究了SDBS与PVP复配添加剂的比例、浓度、反应时间、反应温度等对单晶硅制绒效果的影响,实验发现当SDBS与PVP的混合体积比为1∶4、复配添加剂的浓度为0.26%(质量分数)、制绒温度为80℃、制绒时间为15 min时,在400~1000 nm波长范围内的平均反射率为9.8%。与传统的
The optoelectronic performances of the layered materials are strongly dependent on the thickness of the samples due to the surface effect.As the size of the sam
极化效应会导致GaN基发光器件的效率降低,因此关于非极性和半极性GaN单晶的研究受到了广泛关注。为了进一步探究不同极性GaN的发光特性和杂质掺入的内在机理,本文利用钠助熔剂法侧向生长出的不同极性面的GaN单晶作为研究对象,对比了不同极性面的光学性质及杂质掺入特点,讨论了黄光带(YL)峰的起源及其影响因素。首先利用阴极荧光(CL)、光致发光(PL)对液相外延(LPE)法生长的不同极性方向的GaN的光学性质进行了研究。结果表明,不同的生长极性面会显露出不同的光学特性。朝着侧向生长的[1122]和[1120]G
Emerging layered semiconductors present multiple advantages for optoelectronic technologies including high carrier mobilities,strong light-matter interactions,a