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量子电子学报2012年第29卷第4期 目录
【出 处】
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量子电子学报
【发表日期】
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2012年29期
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采用水热合成的方法,在玻璃基底上制备了氧化锡纳米棒阵列,利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对其晶体结构和表面形貌进行表征,并解释了氧化锡纳米棒的生长机理。为了找到最佳的制备测试参数,研究了室温下,不同水热合成时间和退火温度对纳米氧化锡乙醇气敏特性的影响,并在此基础上研究了365 nm紫外光激活时氧化锡对乙醇气体的气敏特性,与无光照时对比。结果表明,室温下,水热合成反应6 h,500 ℃退火时,氧化锡纳米棒阵列对乙醇气体显示了较高灵敏性,365 nm紫外光照射时,氧化锡气体灵敏度比无光照时
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