【摘 要】
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开展了CuBi3 S5 和CuBi3 Se5 两种化合物的合成研究,并首次报道了这两种化合物的基本光电性质。 以水合肼(N2 H4 ·H2 O)为还原剂,以CuCl、BiCl3 和S(或Se)为原料,通过溶剂热与固相反应相结合的方法 成功制备了CuBi3 S5 和CuBi3 Se5 两种化合物的多晶。采用四点探针法获得了这两种化合物的电阻随温度 变化的关系,结果表明：CuBi3 Se5 呈金属性质,而CuBi3 S5 呈半导体性质。根据Arrhenius关系式 计算出CuBi3 S5 室温下的热激活能为1
【机 构】
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中国科学院安徽光学精密机械研究所,安徽合肥230031
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开展了CuBi3 S5 和CuBi3 Se5 两种化合物的合成研究,并首次报道了这两种化合物的基本光电性质。 以水合肼(N2 H4 ·H2 O)为还原剂,以CuCl、BiCl3 和S(或Se)为原料,通过溶剂热与固相反应相结合的方法 成功制备了CuBi3 S5 和CuBi3 Se5 两种化合物的多晶。采用四点探针法获得了这两种化合物的电阻随温度 变化的关系,结果表明：CuBi3 Se5 呈金属性质,而CuBi3 S5 呈半导体性质。根据Arrhenius关系式 计算出CuBi3 S5 室温下的热激活能为17.1 meV。在室温下对CuBi3 S5 多晶块体进行了霍尔效应实验, 结果表明:其载流子浓度为 3.75×1017 cm-3, 霍尔迁移率为14 cm2V-1s-1, CuBi3 S5 为n型半导体。 漫反射光谱的实验结果表明CuBi3 S5 的禁带宽度约为0.66 eV。
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