【摘 要】
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提出了用射频CML技术设计的2/3分频单元。基于2/3分频单元,使用0.35μm SiGeBiCMOS工艺,实现了射频可编程N分频器。验证结果表明,电路可在GHz频率下正常工作,具有相噪低、功
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提出了用射频CML技术设计的2/3分频单元。基于2/3分频单元,使用0.35μm SiGeBiCMOS工艺,实现了射频可编程N分频器。验证结果表明,电路可在GHz频率下正常工作,具有相噪低、功耗小等特点。在3GHz射频输入信号频率下,频偏100kHz的输出相位噪声为-143dBc/Hz。电路消耗的总电流仅为4mA(3V单电源电压),功耗仅为12mW。
Proposed using radio frequency CML technology designed 2/3 frequency division unit. Based on a 2/3 frequency division unit, a 0.35μm SiGeBiCMOS process is used to implement a radio frequency programmable N-frequency divider. The verification results show that the circuit can work normally at GHz frequency, with low phase noise and low power consumption. At a 3GHz RF input signal frequency, the output phase noise of 100kHz offset is -143dBc / Hz. The total current consumption of the circuit is only 4mA (3V single supply voltage), power consumption is only 12mW.
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