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通过有机聚合物先驱体法使用四氯化硅（SiCl4）、苯甲醛（PhCHO）、烷基胺（RNH2）、三氯化硼（BCl3）为原料，通过有机-无机裂解转化制备了SiBONC陶瓷的纳米粉体。在对SiBONC陶瓷粉末坯体进行高温气压处理时，发现在坯体表面生长出大量β-SiC纳米线。通过XRD、FT-IR、SEM、TEM等分析测试手段分析了该纳米线的微观结构和物相组成，并初步推断了其生长机制。结果表明：该纳米线为结晶良好的β-SiC，其主要组成元素为Si、C及少量的O；其直径在20～200nm之间，其平均长度在1mm左右。