C—H体系CVD金刚石薄膜取向生长的热力学分析

来源 :微细加工技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：gbyljk008

【摘要】

：

化学气相淀积金刚石薄膜过程中，ＣＨ３和Ｃ２Ｈ２是金刚石生长的主要前驱基团。Ｃ２Ｈ２与ＣＨ３浓度比（［Ｃ２Ｈ２］／［ＣＨ３］）的变化将影响金刚石薄膜的生长取向。用非平衡热力学耦合模型设计了Ｃ－Ｈ体系ＣＶＤ金刚石薄膜生长过程中Ｃ２Ｈ２浓度和ＣＨ３浓

【作者】

：

张剑云刘志杰

【机构】

：

复旦大学电子工程系CVD研究室

【出处】

：

微细加工技术

【发表日期】

：

2000年3期

【关键词】

：

化学气相淀积金刚石薄膜热力学取向生长 chemical vapor deposition diamond film thermodynamics

【基金项目】

：

“8 6 3”高技术基金!(86 3 715 0 100 0 50 ),国家自然科学基金!(59772 0 2 9),教育部专项基金,科技部基础科技基金的支持

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化学气相淀积金刚石薄膜过程中，ＣＨ３和Ｃ２Ｈ２是金刚石生长的主要前驱基团。Ｃ２Ｈ２与ＣＨ３浓度比（［Ｃ２Ｈ２］／［ＣＨ３］）的变化将影响金刚石薄膜的生长取向。用非平衡热力学耦合模型设计了Ｃ－Ｈ体系ＣＶＤ金刚石薄膜生长过程中Ｃ２Ｈ２浓度和ＣＨ３浓度随淀积条件的变化，并进一步获得了［Ｃ２Ｈ２］／［ＣＨ３］随衬底温度和ＣＨ４浓度的变化关系，从理论上探讨了金刚石薄膜（１１１）面和（１００）面取向生长与淀积

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