【摘 要】
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采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的2个单元4个发射极指的Si Ge HBT.在没有扣除测试结构的影响下,当直流偏置IC=10mA,VCE=2·5V时,fT和fmax分别为1·8和10·1GHz.增益
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合
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采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的2个单元4个发射极指的Si Ge HBT.在没有扣除测试结构的影响下,当直流偏置IC=10mA,VCE=2·5V时,fT和fmax分别为1·8和10·1GHz.增益β为144·25,BVCBO为9V.
The SiGe HBTs with 2 emitter and 4 emitter emitters were fabricated by a simple double mesa technology. When the DC bias IC = 10mA and VCE = 2.5V, under the influence of no deduction of the test structure, fT And fmax are respectively 1.8 and 10.1 GHz, gain β is 144.25 and BVCBO is 9V.
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