650MHz÷10/11预置分频器工艺研究

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本文介绍了改进后的氧化物隔离等平面-I工艺在专用集成电路中的应用,采用这种工艺制作的650MHz÷10/11预置分频器通过了军用考核(-55℃~+85℃)标准,常温下最高工作频率可达740MHz。 This article describes the improved oxide isolation plane-I process in ASIC applications, using this technology produced 650MHz ÷ 10/11 preset divider passed the military assessment (-55 ℃ ~ +85 ℃ ) Standard, the maximum operating frequency up to 740MHz at room temperature.
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