氨化Si基Ga2O3／Al2O3制备GaN薄膜

来源 :稀有金属材料与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cxz

【摘要】

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研究了Ga2O3/Al2O3膜反应自组装制备GaN薄膜.首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备Ga2O3/Al2O3膜,再将Ga2O3/Al2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到了GaN薄膜.用X射线衍射(XRD),X

【作者】

：

魏芹芹薛成山孙振翠曹文田庄惠照

【机构】

：

山东师范大学

【出处】

：

稀有金属材料与工程

【发表日期】

：

2005年2期

【关键词】

：

GAN Ga2O3/Al2O3膜氮化磁控溅射 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION EPITAXIAL-GROWTH PHASE EPITAX

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研究了Ga2O3/Al2O3膜反应自组装制备GaN薄膜.首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备Ga2O3/Al2O3膜,再将Ga2O3/Al2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到了GaN薄膜.用X射线衍射(XRD),X光光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和荧光光谱(PL)对样品进行结构、组分、形貌和发光特性的分析.测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN晶体膜.

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