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Hole mobility of strained Si/（O01）Si1-xGex
【机 构】
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KeyLaboratoryforWideBand-GapSemiconductorMaterialsandDevices,DepartmentofElectronandElectricityEngin
【出 处】
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中国科学：物理学、力学、天文学英文版
【发表日期】
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2012年1期
【基金项目】
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This work was supported by the National Ministries and Commissions （Grant Nos. 51308040203, 9140AO8060407DZ0103 and 6139801）.
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